快科技8月11日消息，近日在社交平臺上，爆料人士PhoneArt稱三星即將推出的旗艦機型Galaxy S26 Ultra在內(nèi)存配置上將迎來升級。

他透露，該機型將搭載美光最新的LPDDR5X內(nèi)存，數(shù)據(jù)傳輸速率可達到10.7Gbps，高于上一代Galaxy S25 Ultra的9.6Gbps。

這也是突破10Gbps傳輸速率的LPDDR5X內(nèi)存搭載于移動端消費級產(chǎn)品，代表著該速率的內(nèi)存正式從廠商的實驗室邁入實際商用場景。

據(jù)悉，此次速度提升得益于美光全新的1γ（1-gamma）DRAM架構(gòu)。相比上一代1β（1-beta）架構(gòu)，1γ在功耗效率和多任務(wù)處理性能上都有明顯優(yōu)化。

這一改進預(yù)計將在高負載應(yīng)用、大型游戲以及需要高內(nèi)存帶寬的場景中帶來更快的響應(yīng)速度，同時有望降低功耗、延長續(xù)航時間。

除內(nèi)存升級外，Galaxy S26 Ultra預(yù)計將搭載高通驍龍8Elite2處理器。

業(yè)內(nèi)分析認為，高帶寬內(nèi)存與新一代處理器的組合，將提升設(shè)備在AI和重壓力場景方面的表現(xiàn)。

據(jù)此前的爆料，Galaxy S2 6Ultra在影像系統(tǒng)方面將回歸機械可變光圈，潛望式和超廣角鏡頭都大幅提升了像素，同時還新增了激光對焦傳感器，并正在測試高規(guī)格的視頻錄制功能。

截至至8月11日，三星尚未公布Galaxy S26 Ultra的正式發(fā)布時間。